碳化硅SiC同质外延衬底晶片4英寸4H导电型外延层15um用于半导体 · 合肥单晶材料科技有限公司

碳化硅SiC同质外延衬底晶片4英寸4H导电型外延层15um用于半导体
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碳化硅SiC同质外延衬底晶片4英寸4H导电型外延层15um用于半导体

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