碳化硅SiC同质外延衬底2英寸4H导电型 外 延层10um用于半导体科研 · 合肥单晶材料科技有限公司

碳化硅SiC同质外延衬底2英寸4H导电型 外 延层10um用于半导体科研
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碳化硅SiC同质外延衬底2英寸4H导电型 外 延层10um用于半导体科研

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